SIHB20N50E-GE3

አስተውል: Vishay / Siliconix SIHB20N50E-GE3 በ chipnets.com ላይ ይገኛል። አዲስ እና ዋናውን ክፍል ብቻ እንሸጣለን እና የ 1 ዓመት የዋስትና ጊዜ እንሰጣለን ። ስለ ምርቶቹ የበለጠ ለማወቅ ወይም የተሻለ ዋጋ ለማመልከት ከፈለጉ፣ እባክዎን ያግኙን የመስመር ላይ ውይይትን ጠቅ ያድርጉ ወይም ለእኛ ጥቅስ ይላኩልን።

ሁሉም የEeltronics ክፍሎች በESD አንቲስታቲክ ጥበቃ በጣም ደህንነቱ በተጠበቀ ሁኔታ ይዘጋሉ።

package

ዝርዝር መግለጫ

ዓይነት	መግለጫ
ተከታታይ	-
ጥቅል	Bulk
ክፍል ሁኔታ	Active
FET ዓይነት	N-Channel
ቴክኖሎጂ	MOSFET (Metal Oxide)
ወደ ምንጭ ቮልቴጅ (Vdss) ፍሳሽ	500 V
ወቅታዊ - ቀጣይ ፍሳሽ (መታወቂያ) @ 25 ° ሴ	19A (Tc)
ድራይቭ ቮልት (ማክስ ሪድስ በርቷል ፣ ደቂቃ ቀይ ቀይር)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	184mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
የበር ክፍያ (Qg) (ማክስ) @ Vgs	92 nC @ 10 V
ቪግስ (ማክስ)	±30V
የግብዓት አቅም (ሲስ) (ማክስ) @ Vds	1640 pF @ 100 V
FET ባህሪ	-
የኃይል ማባከን (ማክስ)	179W (Tc)
የሥራ ሙቀት	-55°C ~ 150°C (TJ)
የመጫኛ ዓይነት	Surface Mount
የአቅራቢ መሣሪያ ጥቅል	D²PAK (TO-263)
ጥቅል / መያዣ	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

የግዢ አማራጮች

የአክሲዮን ሁኔታ: 718

ዝቅተኛ: 1

ብዛት	ነጠላ ዋጋ	ኤክስት. ዋጋ
ዋጋ አይገኝም፣ እባክዎን RFQ

የጭነት ስሌት

40 ዶላር በፌዴክስ።

ከ3-5 ቀናት ውስጥ ይድረሱ

ፈጣን፡(FEDEX፣ UPS፣ DHL፣ TNT)ከ150$ በላይ ለሆኑ ትዕዛዞች በመጀመሪያ 0.5kg ነፃ መላኪያ፣ከመጠን በላይ ክብደት ለብቻው እንዲከፍል ይደረጋል።

ታዋቂ ሞዴሎች

ይህ ንጥል ወደ ጋሪዎ ታክሏል።