FDFME2P823ZT

አስተውል: Rochester Electronics FDFME2P823ZT በ chipnets.com ላይ ይገኛል። አዲስ እና ዋናውን ክፍል ብቻ እንሸጣለን እና የ 1 ዓመት የዋስትና ጊዜ እንሰጣለን ። ስለ ምርቶቹ የበለጠ ለማወቅ ወይም የተሻለ ዋጋ ለማመልከት ከፈለጉ፣ እባክዎን ያግኙን የመስመር ላይ ውይይትን ጠቅ ያድርጉ ወይም ለእኛ ጥቅስ ይላኩልን።

ሁሉም የEeltronics ክፍሎች በESD አንቲስታቲክ ጥበቃ በጣም ደህንነቱ በተጠበቀ ሁኔታ ይዘጋሉ።

package

ዝርዝር መግለጫ

ዓይነት	መግለጫ
ተከታታይ	PowerTrench®
ጥቅል	Bulk
ክፍል ሁኔታ	Active
FET ዓይነት	P-Channel
ቴክኖሎጂ	MOSFET (Metal Oxide)
ወደ ምንጭ ቮልቴጅ (Vdss) ፍሳሽ	20 V
ወቅታዊ - ቀጣይ ፍሳሽ (መታወቂያ) @ 25 ° ሴ	2.6A (Ta)
ድራይቭ ቮልት (ማክስ ሪድስ በርቷል ፣ ደቂቃ ቀይ ቀይር)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
የበር ክፍያ (Qg) (ማክስ) @ Vgs	7.7 nC @ 4.5 V
ቪግስ (ማክስ)	±8V
የግብዓት አቅም (ሲስ) (ማክስ) @ Vds	405 pF @ 10 V
FET ባህሪ	Schottky Diode (Isolated)
የኃይል ማባከን (ማክስ)	1.4W (Ta)
የሥራ ሙቀት	-55°C ~ 150°C (TJ)
የመጫኛ ዓይነት	Surface Mount
የአቅራቢ መሣሪያ ጥቅል	6-MicroFET (1.6x1.6)
ጥቅል / መያዣ	6-UFDFN Exposed Pad

የግዢ አማራጮች

የአክሲዮን ሁኔታ: 40000

ዝቅተኛ: 1

ብዛት	ነጠላ ዋጋ	ኤክስት. ዋጋ
ዋጋ አይገኝም፣ እባክዎን RFQ

የጭነት ስሌት

40 ዶላር በፌዴክስ።

ከ3-5 ቀናት ውስጥ ይድረሱ

ፈጣን፡(FEDEX፣ UPS፣ DHL፣ TNT)ከ150$ በላይ ለሆኑ ትዕዛዞች በመጀመሪያ 0.5kg ነፃ መላኪያ፣ከመጠን በላይ ክብደት ለብቻው እንዲከፍል ይደረጋል።

ታዋቂ ሞዴሎች

	FDFME2P823ZT Rochester Electronics
	FDFMA2N028Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFM2N111 Rochester Electronics
	FDFMA3P029Z Rochester Electronics
	FDFMJ2P023Z Rochester Electronics
	FDFMA2P859T Rochester Electronics
	FDFME3N311ZT Rochester Electronics
	FDFMA2P029Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFMA2P029Z-F106 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFMA2P853 Rochester Electronics

ይህ ንጥል ወደ ጋሪዎ ታክሏል።