TPN22006NH,LQ

የአምራች ክፍል ቁጥር:	TPN22006NH,LQ
አምራች:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
የመግለጫው አካል:	MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
የውሂብ ሉሆች:	TPN22006NH,LQ የውሂብ ሉሆች
ሊድ ነጻ ሁኔታ / RoHS ሁኔታ:	ከእርሳስ ነፃ / RoHS የሚያከብር
የአክሲዮን ሁኔታ:	ለሽያጭ የቀረበ እቃ
መርከብ ከ:	Hong Kong
የመላኪያ መንገድ:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

አስተውል: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN22006NH,LQ በ chipnets.com ላይ ይገኛል። አዲስ እና ዋናውን ክፍል ብቻ እንሸጣለን እና የ 1 ዓመት የዋስትና ጊዜ እንሰጣለን ። ስለ ምርቶቹ የበለጠ ለማወቅ ወይም የተሻለ ዋጋ ለማመልከት ከፈለጉ፣ እባክዎን ያግኙን የመስመር ላይ ውይይትን ጠቅ ያድርጉ ወይም ለእኛ ጥቅስ ይላኩልን።

ሁሉም የEeltronics ክፍሎች በESD አንቲስታቲክ ጥበቃ በጣም ደህንነቱ በተጠበቀ ሁኔታ ይዘጋሉ።

package

ዝርዝር መግለጫ

ዓይነት	መግለጫ
ተከታታይ	U-MOSVIII-H
ጥቅል	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
ክፍል ሁኔታ	Active
FET ዓይነት	N-Channel
ቴክኖሎጂ	MOSFET (Metal Oxide)
ወደ ምንጭ ቮልቴጅ (Vdss) ፍሳሽ	60 V
ወቅታዊ - ቀጣይ ፍሳሽ (መታወቂያ) @ 25 ° ሴ	9A (Ta)
ድራይቭ ቮልት (ማክስ ሪድስ በርቷል ፣ ደቂቃ ቀይ ቀይር)	6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
የበር ክፍያ (Qg) (ማክስ) @ Vgs	12 nC @ 10 V
ቪግስ (ማክስ)	±20V
የግብዓት አቅም (ሲስ) (ማክስ) @ Vds	710 pF @ 30 V
FET ባህሪ	-
የኃይል ማባከን (ማክስ)	700mW (Ta), 18W (Tc)
የሥራ ሙቀት	150°C (TJ)
የመጫኛ ዓይነት	Surface Mount
የአቅራቢ መሣሪያ ጥቅል	8-TSON Advance (3.3x3.3)
ጥቅል / መያዣ	8-PowerVDFN

የግዢ አማራጮች

የአክሲዮን ሁኔታ: 993

ዝቅተኛ: 1

ብዛት	ነጠላ ዋጋ	ኤክስት. ዋጋ
ዋጋ አይገኝም፣ እባክዎን RFQ

የጭነት ስሌት

40 ዶላር በፌዴክስ።

ከ3-5 ቀናት ውስጥ ይድረሱ

ፈጣን፡(FEDEX፣ UPS፣ DHL፣ TNT)ከ150$ በላይ ለሆኑ ትዕዛዞች በመጀመሪያ 0.5kg ነፃ መላኪያ፣ከመጠን በላይ ክብደት ለብቻው እንዲከፍል ይደረጋል።

ታዋቂ ሞዴሎች

	TPN22006NH,LQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN2R304PL,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN2010FNH,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN2R203NC,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN2R703NL,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN2R903PL,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN2R503NC,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN2R805PL,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

ይህ ንጥል ወደ ጋሪዎ ታክሏል።