FQI8N60CTU

አስተውል: Rochester Electronics FQI8N60CTU በ chipnets.com ላይ ይገኛል። አዲስ እና ዋናውን ክፍል ብቻ እንሸጣለን እና የ 1 ዓመት የዋስትና ጊዜ እንሰጣለን ። ስለ ምርቶቹ የበለጠ ለማወቅ ወይም የተሻለ ዋጋ ለማመልከት ከፈለጉ፣ እባክዎን ያግኙን የመስመር ላይ ውይይትን ጠቅ ያድርጉ ወይም ለእኛ ጥቅስ ይላኩልን።

ሁሉም የEeltronics ክፍሎች በESD አንቲስታቲክ ጥበቃ በጣም ደህንነቱ በተጠበቀ ሁኔታ ይዘጋሉ።

package

ዝርዝር መግለጫ

ዓይነት	መግለጫ
ተከታታይ	QFET®
ጥቅል	Bulk
ክፍል ሁኔታ	Active
FET ዓይነት	N-Channel
ቴክኖሎጂ	MOSFET (Metal Oxide)
ወደ ምንጭ ቮልቴጅ (Vdss) ፍሳሽ	600 V
ወቅታዊ - ቀጣይ ፍሳሽ (መታወቂያ) @ 25 ° ሴ	7.5A (Tc)
ድራይቭ ቮልት (ማክስ ሪድስ በርቷል ፣ ደቂቃ ቀይ ቀይር)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
የበር ክፍያ (Qg) (ማክስ) @ Vgs	36 nC @ 10 V
ቪግስ (ማክስ)	±30V
የግብዓት አቅም (ሲስ) (ማክስ) @ Vds	1.255 pF @ 25 V
FET ባህሪ	-
የኃይል ማባከን (ማክስ)	3.13W (Ta), 147W (Tc)
የሥራ ሙቀት	-55°C ~ 150°C (TJ)
የመጫኛ ዓይነት	Through Hole
የአቅራቢ መሣሪያ ጥቅል	I2PAK (TO-262)
ጥቅል / መያዣ	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

የግዢ አማራጮች

የአክሲዮን ሁኔታ: 25781

ዝቅተኛ: 1

ብዛት	ነጠላ ዋጋ	ኤክስት. ዋጋ
ዋጋ አይገኝም፣ እባክዎን RFQ

የጭነት ስሌት

40 ዶላር በፌዴክስ።

ከ3-5 ቀናት ውስጥ ይድረሱ

ፈጣን፡(FEDEX፣ UPS፣ DHL፣ TNT)ከ150$ በላይ ለሆኑ ትዕዛዞች በመጀመሪያ 0.5kg ነፃ መላኪያ፣ከመጠን በላይ ክብደት ለብቻው እንዲከፍል ይደረጋል።

ታዋቂ ሞዴሎች

	FQI8N60CTU Rochester Electronics
	FQI8P10TU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

ይህ ንጥል ወደ ጋሪዎ ታክሏል።