G3R160MT12D

አስተውል: GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D በ chipnets.com ላይ ይገኛል። አዲስ እና ዋናውን ክፍል ብቻ እንሸጣለን እና የ 1 ዓመት የዋስትና ጊዜ እንሰጣለን ። ስለ ምርቶቹ የበለጠ ለማወቅ ወይም የተሻለ ዋጋ ለማመልከት ከፈለጉ፣ እባክዎን ያግኙን የመስመር ላይ ውይይትን ጠቅ ያድርጉ ወይም ለእኛ ጥቅስ ይላኩልን።

ሁሉም የEeltronics ክፍሎች በESD አንቲስታቲክ ጥበቃ በጣም ደህንነቱ በተጠበቀ ሁኔታ ይዘጋሉ።

package

ዝርዝር መግለጫ

ዓይነት	መግለጫ
ተከታታይ	G3R™
ጥቅል	Tube
ክፍል ሁኔታ	Active
FET ዓይነት	N-Channel
ቴክኖሎጂ	SiCFET (Silicon Carbide)
ወደ ምንጭ ቮልቴጅ (Vdss) ፍሳሽ	1200 V
ወቅታዊ - ቀጣይ ፍሳሽ (መታወቂያ) @ 25 ° ሴ	22A (Tc)
ድራይቭ ቮልት (ማክስ ሪድስ በርቷል ፣ ደቂቃ ቀይ ቀይር)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	192mOhm @ 10A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.69V @ 5mA
የበር ክፍያ (Qg) (ማክስ) @ Vgs	28 nC @ 15 V
ቪግስ (ማክስ)	±15V
የግብዓት አቅም (ሲስ) (ማክስ) @ Vds	730 pF @ 800 V
FET ባህሪ	-
የኃይል ማባከን (ማክስ)	123W (Tc)
የሥራ ሙቀት	-55°C ~ 175°C (TJ)
የመጫኛ ዓይነት	Through Hole
የአቅራቢ መሣሪያ ጥቅል	TO-247-3
ጥቅል / መያዣ	TO-247-3

የግዢ አማራጮች

የአክሲዮን ሁኔታ: 535

ዝቅተኛ: 1

ብዛት	ነጠላ ዋጋ	ኤክስት. ዋጋ
ዋጋ አይገኝም፣ እባክዎን RFQ

የጭነት ስሌት

40 ዶላር በፌዴክስ።

ከ3-5 ቀናት ውስጥ ይድረሱ

ፈጣን፡(FEDEX፣ UPS፣ DHL፣ TNT)ከ150$ በላይ ለሆኑ ትዕዛዞች በመጀመሪያ 0.5kg ነፃ መላኪያ፣ከመጠን በላይ ክብደት ለብቻው እንዲከፍል ይደረጋል።

ታዋቂ ሞዴሎች

	G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor
	G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor
	G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor
	G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor

ይህ ንጥል ወደ ጋሪዎ ታክሏል።