GA10SICP12-263

አስተውል: GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263 በ chipnets.com ላይ ይገኛል። አዲስ እና ዋናውን ክፍል ብቻ እንሸጣለን እና የ 1 ዓመት የዋስትና ጊዜ እንሰጣለን ። ስለ ምርቶቹ የበለጠ ለማወቅ ወይም የተሻለ ዋጋ ለማመልከት ከፈለጉ፣ እባክዎን ያግኙን የመስመር ላይ ውይይትን ጠቅ ያድርጉ ወይም ለእኛ ጥቅስ ይላኩልን።

ሁሉም የEeltronics ክፍሎች በESD አንቲስታቲክ ጥበቃ በጣም ደህንነቱ በተጠበቀ ሁኔታ ይዘጋሉ።

package

ዝርዝር መግለጫ

ዓይነት	መግለጫ
ተከታታይ	-
ጥቅል	Tube
ክፍል ሁኔታ	Active
FET ዓይነት	-
ቴክኖሎጂ	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ወደ ምንጭ ቮልቴጅ (Vdss) ፍሳሽ	1200 V
ወቅታዊ - ቀጣይ ፍሳሽ (መታወቂያ) @ 25 ° ሴ	25A (Tc)
ድራይቭ ቮልት (ማክስ ሪድስ በርቷል ፣ ደቂቃ ቀይ ቀይር)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
የበር ክፍያ (Qg) (ማክስ) @ Vgs	-
ቪግስ (ማክስ)	-
የግብዓት አቅም (ሲስ) (ማክስ) @ Vds	1403 pF @ 800 V
FET ባህሪ	-
የኃይል ማባከን (ማክስ)	170W (Tc)
የሥራ ሙቀት	175°C (TJ)
የመጫኛ ዓይነት	Surface Mount
የአቅራቢ መሣሪያ ጥቅል	D2PAK (7-Lead)
ጥቅል / መያዣ	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

የግዢ አማራጮች

የአክሲዮን ሁኔታ: በተመሳሳይ ቀን መላኪያ

ዝቅተኛ: 1

ብዛት	ነጠላ ዋጋ	ኤክስት. ዋጋ
ዋጋ አይገኝም፣ እባክዎን RFQ

የጭነት ስሌት

40 ዶላር በፌዴክስ።

ከ3-5 ቀናት ውስጥ ይድረሱ

ፈጣን፡(FEDEX፣ UPS፣ DHL፣ TNT)ከ150$ በላይ ለሆኑ ትዕዛዞች በመጀመሪያ 0.5kg ነፃ መላኪያ፣ከመጠን በላይ ክብደት ለብቻው እንዲከፍል ይደረጋል።

ታዋቂ ሞዴሎች

	GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor
	GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor

ይህ ንጥል ወደ ጋሪዎ ታክሏል።