G2R1000MT17D

አስተውል: GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D በ chipnets.com ላይ ይገኛል። አዲስ እና ዋናውን ክፍል ብቻ እንሸጣለን እና የ 1 ዓመት የዋስትና ጊዜ እንሰጣለን ። ስለ ምርቶቹ የበለጠ ለማወቅ ወይም የተሻለ ዋጋ ለማመልከት ከፈለጉ፣ እባክዎን ያግኙን የመስመር ላይ ውይይትን ጠቅ ያድርጉ ወይም ለእኛ ጥቅስ ይላኩልን።

ሁሉም የEeltronics ክፍሎች በESD አንቲስታቲክ ጥበቃ በጣም ደህንነቱ በተጠበቀ ሁኔታ ይዘጋሉ።

package

ዝርዝር መግለጫ

ዓይነት	መግለጫ
ተከታታይ	G2R™
ጥቅል	Tube
ክፍል ሁኔታ	Active
FET ዓይነት	N-Channel
ቴክኖሎጂ	SiCFET (Silicon Carbide)
ወደ ምንጭ ቮልቴጅ (Vdss) ፍሳሽ	1700 V
ወቅታዊ - ቀጣይ ፍሳሽ (መታወቂያ) @ 25 ° ሴ	4A (Tc)
ድራይቭ ቮልት (ማክስ ሪድስ በርቷል ፣ ደቂቃ ቀይ ቀይር)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2mA
የበር ክፍያ (Qg) (ማክስ) @ Vgs	-
ቪግስ (ማክስ)	+20V, -5V
የግብዓት አቅም (ሲስ) (ማክስ) @ Vds	139 pF @ 1000 V
FET ባህሪ	-
የኃይል ማባከን (ማክስ)	53W (Tc)
የሥራ ሙቀት	-55°C ~ 175°C (TJ)
የመጫኛ ዓይነት	Through Hole
የአቅራቢ መሣሪያ ጥቅል	TO-247-3
ጥቅል / መያዣ	TO-247-3

የግዢ አማራጮች

የአክሲዮን ሁኔታ: በተመሳሳይ ቀን መላኪያ

ዝቅተኛ: 1

ብዛት	ነጠላ ዋጋ	ኤክስት. ዋጋ
ዋጋ አይገኝም፣ እባክዎን RFQ

የጭነት ስሌት

40 ዶላር በፌዴክስ።

ከ3-5 ቀናት ውስጥ ይድረሱ

ፈጣን፡(FEDEX፣ UPS፣ DHL፣ TNT)ከ150$ በላይ ለሆኑ ትዕዛዞች በመጀመሪያ 0.5kg ነፃ መላኪያ፣ከመጠን በላይ ክብደት ለብቻው እንዲከፍል ይደረጋል።

ታዋቂ ሞዴሎች

	G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor
	G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor
	G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor
	G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor

ይህ ንጥል ወደ ጋሪዎ ታክሏል።