Vishay General Semiconductor – Diodes Division / ES1AHE3_A/I
ምስሉ ለማጣቀሻ ነው፣ ትክክለኛውን ምስል ለማግኘት እባክዎ ያነጋግሩን።
ES1AHE3_A/I
| የአምራች ክፍል ቁጥር: | ES1AHE3_A/I |
| አምራች: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| የመግለጫው አካል: | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC |
| የውሂብ ሉሆች: | ES1AHE3_A/I የውሂብ ሉሆች |
| ሊድ ነጻ ሁኔታ / RoHS ሁኔታ: | ከእርሳስ ነፃ / RoHS የሚያከብር |
| የአክሲዮን ሁኔታ: | ለሽያጭ የቀረበ እቃ |
| መርከብ ከ: | Hong Kong |
| የመላኪያ መንገድ: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- አስተውል
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division ES1AHE3_A/I በ chipnets.com ላይ ይገኛል። አዲስ እና ዋናውን ክፍል ብቻ እንሸጣለን እና የ 1 ዓመት የዋስትና ጊዜ እንሰጣለን ። ስለ ምርቶቹ የበለጠ ለማወቅ ወይም የተሻለ ዋጋ ለማመልከት ከፈለጉ፣ እባክዎን ያግኙን የመስመር ላይ ውይይትን ጠቅ ያድርጉ ወይም ለእኛ ጥቅስ ይላኩልን።
ሁሉም የEeltronics ክፍሎች በESD አንቲስታቲክ ጥበቃ በጣም ደህንነቱ በተጠበቀ ሁኔታ ይዘጋሉ።
ዝርዝር መግለጫ
| ዓይነት | መግለጫ |
|---|---|
| ተከታታይ | Automotive, AEC-Q101 |
| ጥቅል | Tape & Reel (TR) |
| ክፍል ሁኔታ | Active |
| ዲዲዮ ዓይነት | Standard |
| ቮልቴጅ - ዲሲ ተገላቢጦሽ (ቪር) (ማክስ) | 50 V |
| የአሁኑ - አማካይ ተስተካክሏል (አይ) | 1A |
| ቮልቴጅ - ወደፊት (ቪኤፍ) (ማክስ) @ ከሆነ | 920 mV @ 1 A |
| ፍጥነት | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| የተገላቢጦሽ የመልሶ ማግኛ ጊዜ (trr) | 25 ns |
| የአሁኑ - ተገላቢጦሽ ፍሳሽ @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| አቅም @ ቪር ፣ ኤፍ | 10pF @ 4V, 1MHz |
| የመጫኛ ዓይነት | Surface Mount |
| ጥቅል / መያዣ | DO-214AC, SMA |
| የአቅራቢ መሣሪያ ጥቅል | DO-214AC (SMA) |
| የሥራ ሙቀት - መስቀለኛ መንገድ | -55°C ~ 150°C |
የአክሲዮን ሁኔታ: በተመሳሳይ ቀን መላኪያ
ዝቅተኛ: 1
| ብዛት | ነጠላ ዋጋ | ኤክስት. ዋጋ |
|---|---|---|
ዋጋ አይገኝም፣ እባክዎን RFQ |
||
የጭነት ስሌት
40 ዶላር በፌዴክስ።
ከ3-5 ቀናት ውስጥ ይድረሱ
ፈጣን፡(FEDEX፣ UPS፣ DHL፣ TNT)ከ150$ በላይ ለሆኑ ትዕዛዞች በመጀመሪያ 0.5kg ነፃ መላኪያ፣ከመጠን በላይ ክብደት ለብቻው እንዲከፍል ይደረጋል።
ታዋቂ ሞዴሎች
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
TSC (Taiwan Semiconductor) |
 |
TSC (Taiwan Semiconductor) |
 |
TSC (Taiwan Semiconductor) |
 |
TSC (Taiwan Semiconductor) |
 |
Micro Commercial Components (MCC) |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
TSC (Taiwan Semiconductor) |
 |
TSC (Taiwan Semiconductor) |
ወደ ጋሪው ታክሏል!
ይህ ንጥል ወደ ጋሪዎ ታክሏል።