Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VFT10200C-E3/4W
ምስሉ ለማጣቀሻ ነው፣ ትክክለኛውን ምስል ለማግኘት እባክዎ ያነጋግሩን።
VFT10200C-E3/4W
| የአምራች ክፍል ቁጥር: | VFT10200C-E3/4W |
| አምራች: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| የመግለጫው አካል: | DIODE SCHOTTKY 10A 200V ITO220AB |
| የውሂብ ሉሆች: | VFT10200C-E3/4W የውሂብ ሉሆች |
| ሊድ ነጻ ሁኔታ / RoHS ሁኔታ: | ከእርሳስ ነፃ / RoHS የሚያከብር |
| የአክሲዮን ሁኔታ: | ለሽያጭ የቀረበ እቃ |
| መርከብ ከ: | Hong Kong |
| የመላኪያ መንገድ: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- አስተውል
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division VFT10200C-E3/4W በ chipnets.com ላይ ይገኛል። አዲስ እና ዋናውን ክፍል ብቻ እንሸጣለን እና የ 1 ዓመት የዋስትና ጊዜ እንሰጣለን ። ስለ ምርቶቹ የበለጠ ለማወቅ ወይም የተሻለ ዋጋ ለማመልከት ከፈለጉ፣ እባክዎን ያግኙን የመስመር ላይ ውይይትን ጠቅ ያድርጉ ወይም ለእኛ ጥቅስ ይላኩልን።
ሁሉም የEeltronics ክፍሎች በESD አንቲስታቲክ ጥበቃ በጣም ደህንነቱ በተጠበቀ ሁኔታ ይዘጋሉ።
ዝርዝር መግለጫ
| ዓይነት | መግለጫ |
|---|---|
| ተከታታይ | TMBS® |
| ጥቅል | Tube |
| ክፍል ሁኔታ | Active |
| የዲያዲዮ ውቅር | 1 Pair Common Cathode |
| ዲዲዮ ዓይነት | Schottky |
| ቮልቴጅ - ዲሲ ተገላቢጦሽ (ቪር) (ማክስ) | 200 V |
| የአሁኑ - አማካይ የተስተካከለ (አይ) (በዲዮድ) | 5A |
| ቮልቴጅ - ወደፊት (ቪኤፍ) (ማክስ) @ ከሆነ | 1.6 V @ 5 A |
| ፍጥነት | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| የተገላቢጦሽ የመልሶ ማግኛ ጊዜ (trr) | - |
| የአሁኑ - ተገላቢጦሽ ፍሳሽ @ Vr | 150 µA @ 200 V |
| የሥራ ሙቀት - መስቀለኛ መንገድ | -40°C ~ 150°C |
| የመጫኛ ዓይነት | Through Hole |
| ጥቅል / መያዣ | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| የአቅራቢ መሣሪያ ጥቅል | ITO-220AB |
የአክሲዮን ሁኔታ: በተመሳሳይ ቀን መላኪያ
ዝቅተኛ: 1
| ብዛት | ነጠላ ዋጋ | ኤክስት. ዋጋ |
|---|---|---|
ዋጋ አይገኝም፣ እባክዎን RFQ |
||
የጭነት ስሌት
40 ዶላር በፌዴክስ።
ከ3-5 ቀናት ውስጥ ይድረሱ
ፈጣን፡(FEDEX፣ UPS፣ DHL፣ TNT)ከ150$ በላይ ለሆኑ ትዕዛዞች በመጀመሪያ 0.5kg ነፃ መላኪያ፣ከመጠን በላይ ክብደት ለብቻው እንዲከፍል ይደረጋል።
ታዋቂ ሞዴሎች
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
ወደ ጋሪው ታክሏል!
ይህ ንጥል ወደ ጋሪዎ ታክሏል።