IR (Infineon Technologies) / DDB6U75N16W1RB11BOMA1
ምስሉ ለማጣቀሻ ነው፣ ትክክለኛውን ምስል ለማግኘት እባክዎ ያነጋግሩን።
DDB6U75N16W1RB11BOMA1
| የአምራች ክፍል ቁጥር: | DDB6U75N16W1RB11BOMA1 |
| አምራች: | IR (Infineon Technologies) |
| የመግለጫው አካል: | IGBT MOD 1200V 69A 335W |
| የውሂብ ሉሆች: | DDB6U75N16W1RB11BOMA1 የውሂብ ሉሆች |
| ሊድ ነጻ ሁኔታ / RoHS ሁኔታ: | ከእርሳስ ነፃ / RoHS የሚያከብር |
| የአክሲዮን ሁኔታ: | ለሽያጭ የቀረበ እቃ |
| መርከብ ከ: | Hong Kong |
| የመላኪያ መንገድ: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- አስተውል
- IR (Infineon Technologies) DDB6U75N16W1RB11BOMA1 በ chipnets.com ላይ ይገኛል። አዲስ እና ዋናውን ክፍል ብቻ እንሸጣለን እና የ 1 ዓመት የዋስትና ጊዜ እንሰጣለን ። ስለ ምርቶቹ የበለጠ ለማወቅ ወይም የተሻለ ዋጋ ለማመልከት ከፈለጉ፣ እባክዎን ያግኙን የመስመር ላይ ውይይትን ጠቅ ያድርጉ ወይም ለእኛ ጥቅስ ይላኩልን።
ሁሉም የEeltronics ክፍሎች በESD አንቲስታቲክ ጥበቃ በጣም ደህንነቱ በተጠበቀ ሁኔታ ይዘጋሉ።
ዝርዝር መግለጫ
| ዓይነት | መግለጫ |
|---|---|
| ተከታታይ | - |
| ጥቅል | Bulk |
| ክፍል ሁኔታ | Active |
| አይጂቢቲ ዓይነት | Trench Field Stop |
| ውቅር | Three Phase Inverter |
| ቮልቴጅ - ሰብሳቢ ኢሚተር ብልሽት (ማክስ) | 1200 V |
| የአሁኑ - ሰብሳቢ (አይሲ) (ማክስ) | 69 A |
| ኃይል - ከፍተኛ | 335 W |
| Vce (በርቷል) (ማክስ) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
| የአሁኑ - ሰብሳቢው መቆረጥ (ማክስ) | 1 mA |
| የግብዓት አቅም (ሲይስ) @ Vce | 2.8 nF @ 25 V |
| ግቤት | Standard |
| ኤን.ቲ.ቲ ቴርሚስተር | Yes |
| የሥራ ሙቀት | -40°C ~ 150°C |
| የመጫኛ ዓይነት | Chassis Mount |
| ጥቅል / መያዣ | Module |
| የአቅራቢ መሣሪያ ጥቅል | Module |
የአክሲዮን ሁኔታ: በተመሳሳይ ቀን መላኪያ
ዝቅተኛ: 1
| ብዛት | ነጠላ ዋጋ | ኤክስት. ዋጋ |
|---|---|---|
ዋጋ አይገኝም፣ እባክዎን RFQ |
||
የጭነት ስሌት
40 ዶላር በፌዴክስ።
ከ3-5 ቀናት ውስጥ ይድረሱ
ፈጣን፡(FEDEX፣ UPS፣ DHL፣ TNT)ከ150$ በላይ ለሆኑ ትዕዛዞች በመጀመሪያ 0.5kg ነፃ መላኪያ፣ከመጠን በላይ ክብደት ለብቻው እንዲከፍል ይደረጋል።
ታዋቂ ሞዴሎች
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
Rochester Electronics |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
Rochester Electronics |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
Rochester Electronics |
ወደ ጋሪው ታክሏል!
ይህ ንጥል ወደ ጋሪዎ ታክሏል።