Vishay General Semiconductor – Diodes Division / GB35XF120K
ምስሉ ለማጣቀሻ ነው፣ ትክክለኛውን ምስል ለማግኘት እባክዎ ያነጋግሩን።
GB35XF120K
| የአምራች ክፍል ቁጥር: | GB35XF120K |
| አምራች: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| የመግለጫው አካል: | IGBT MODULE 1200V 50A 284W |
| የውሂብ ሉሆች: | GB35XF120K የውሂብ ሉሆች |
| ሊድ ነጻ ሁኔታ / RoHS ሁኔታ: | ከእርሳስ ነፃ / RoHS የሚያከብር |
| የአክሲዮን ሁኔታ: | ለሽያጭ የቀረበ እቃ |
| መርከብ ከ: | Hong Kong |
| የመላኪያ መንገድ: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- አስተውል
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division GB35XF120K በ chipnets.com ላይ ይገኛል። አዲስ እና ዋናውን ክፍል ብቻ እንሸጣለን እና የ 1 ዓመት የዋስትና ጊዜ እንሰጣለን ። ስለ ምርቶቹ የበለጠ ለማወቅ ወይም የተሻለ ዋጋ ለማመልከት ከፈለጉ፣ እባክዎን ያግኙን የመስመር ላይ ውይይትን ጠቅ ያድርጉ ወይም ለእኛ ጥቅስ ይላኩልን።
ሁሉም የEeltronics ክፍሎች በESD አንቲስታቲክ ጥበቃ በጣም ደህንነቱ በተጠበቀ ሁኔታ ይዘጋሉ።
ዝርዝር መግለጫ
| ዓይነት | መግለጫ |
|---|---|
| ተከታታይ | - |
| ጥቅል | - |
| ክፍል ሁኔታ | Obsolete |
| አይጂቢቲ ዓይነት | NPT |
| ውቅር | Three Phase Inverter |
| ቮልቴጅ - ሰብሳቢ ኢሚተር ብልሽት (ማክስ) | 1200 V |
| የአሁኑ - ሰብሳቢ (አይሲ) (ማክስ) | 50 A |
| ኃይል - ከፍተኛ | 284 W |
| Vce (በርቷል) (ማክስ) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
| የአሁኑ - ሰብሳቢው መቆረጥ (ማክስ) | 100 µA |
| የግብዓት አቅም (ሲይስ) @ Vce | 3.475 nF @ 30 V |
| ግቤት | Standard |
| ኤን.ቲ.ቲ ቴርሚስተር | No |
| የሥራ ሙቀት | 150°C (TJ) |
| የመጫኛ ዓይነት | Chassis Mount |
| ጥቅል / መያዣ | ECONO2 |
| የአቅራቢ መሣሪያ ጥቅል | - |
የአክሲዮን ሁኔታ: በተመሳሳይ ቀን መላኪያ
ዝቅተኛ: 1
| ብዛት | ነጠላ ዋጋ | ኤክስት. ዋጋ |
|---|---|---|
ዋጋ አይገኝም፣ እባክዎን RFQ |
||
የጭነት ስሌት
40 ዶላር በፌዴክስ።
ከ3-5 ቀናት ውስጥ ይድረሱ
ፈጣን፡(FEDEX፣ UPS፣ DHL፣ TNT)ከ150$ በላይ ለሆኑ ትዕዛዞች በመጀመሪያ 0.5kg ነፃ መላኪያ፣ከመጠን በላይ ክብደት ለብቻው እንዲከፍል ይደረጋል።
ታዋቂ ሞዴሎች
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
ወደ ጋሪው ታክሏል!
ይህ ንጥል ወደ ጋሪዎ ታክሏል።